MOSFET de potencia de canal N SGT de 30 V-250 V

MOSFET de trinchera y características clave •Diseño de alta densidad celular •Ideal para paquetes miniaturizados •Protección GS ESD integrada •Rango de voltaje: 12V-200V MOSFET SGT y características clave •Tecnología avanzada de zanjas de puertas bli...

MOSFET de potencia multicanal MOSFET

MOSFET de trinchera y características clave •Diseño de alta densidad celular •Ideal para paquetes miniaturizados •Protección GS ESD integrada •Rango de voltaje: 12V-200V MOSFET SGT y características clave •Tecnología avanzada de zanjas de puertas bli...

Super Junction MOSFET 600V de Wayon

Descripción WAYON domina tanto la tecnología MOSFET de zanjas profundas como la de súper unión Multi-EPI, y tiene una cartera de productos muy completa. Las especificaciones del producto MOSFET de superunión cubren 500V-1200V, 2A-99A. WAYON es el pri...

IGBT discretos

MOSFET de bajo voltaje

MOSFET de alta potencia 650V

Introducción Wayon WMOSTM C2 es una nueva tecnología de vanguardia basada en silicio para MOSFET de potencia de alto voltaje. Utilizando el principio de superunión avanzado, la tecnología puede reducir significativamente el RDS (encendido) por área e...

MOSFET de alto voltaje 700V

Wyon WMOS TM EM Series Power MOSFET El producto de mejora del rendimiento EMI de la tecnología Wayon super junction Introducción Wyon WMOS TM EM equilibrará el comportamiento de conmutación rápido combinado con los requisitos de "facilidad de uso" pa...

MOSFET 800V

Wyon WMOS TM 2 Dakota del Norte Generacion Tecnología MOSFET de potencia de la serie M3 de 800 V Los nuevos productos lanzados a partir de la tecnología avanzada de súper unión de Wayon Introducción Teléfono 800V WMOS TM M3 es una nueva tecnología de...

MOSFET de potencia> 900V

Energía MOSFET 900V, 950V, 1000V, 1050V, 1200V tren WMOS TM 2 rd Tecnología de generación MOSFET de potencia de la serie C2 El nuevo producto lanzado de la tecnología de superunión de Wayon Introducción tren WMOS TM C2 es una nueva tecnología de van...

MOSFET de potencia de canal N 500V y 550V

CAMINO 3 rd MOSFET de potencia de la serie C4 de tecnología de generación Introducción Basado en la tecnología de superunión de densidad de potencia muy alta, Wayon WMOSTM C4 mejorará sustancialmente las cifras de mérito (FOM) relacionadas con la con...